TRANS GP JFET N-CH 25V TO-92

ON Semiconductor

包装:带卷 (TR),系列:-,不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):10mA @ 15V,漏源极电压 (Vdss):-,漏极电流 (Id) - 最大值:-,FET 类型:N 沟道,电压 - 击穿 (V(BR)GSS):25V,不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 1µA,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-,电阻 - RDS（开）:18 欧姆,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线,供应商器件封装:TO-92-3,功率 - 最大值:310mW

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